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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.5: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:00–12:15, H4

Optische Wellenleiter aus porösem Silicium — •M. Krüger¹, T.M. Benson² und A. Loni³ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ²Department of electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham, UK — ³Defense Research Agency, Malvern, UK

Schichtysyteme aus porösem Silicium können, neben der Verwendung in optischen Interferenzfiltern, ebenfalls als auf Silicium-Chips integrierte Wellenleiter dienen. Wir stellen zwei unterschiedliche Strukturierungsmethoden zur Herstellung von Streifenwellenleitern mit Breiten von 2 bis 10 µ m vor, welche je nach Struktur Monomode bzw. Multimode-Wellenleitung mit Verlusten von einigen dB/cm zeigen. Ausser im nahen IR (1.5/1.3/1.1 µ m) konnten diese Wellenleiter nach Oxidation des porösen Siliciums ebenfalls im Sichtbaren (0.6 µ m) verwendet werden. Aus diesen Wellenleitern hergestellte Y-Weichen zeigten nur geringe Kopplungsverluste (ca. 6 dB bisher), was die Realisierung von Mach-Zehnder Interferometern aus porösem Silicium möglich erscheinen lässt.