Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.6: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:15–12:30, H4

Beugungsgitter aus porösem Silicium — •M. Thönissen¹, G. Lerondel², R. Romestain², J. C. Vial², M. Krüger¹ und V. Ganse¹ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ²Laboratoire de spectrometrie physique, Universite J. Fourier, BP 87, F-38402 Saint Martin d’Heres Cedex, France

Der elektrochemische Ätzprozeß von porösem Silicium ist beleuchtungssensitiv. Eine zusätzliche Generierung von Elektron-Loch Paaren in den vorhandenen, an Ladungsträgern verarmten, porösen Strukturen führt zu deren weiteren Ätzung. Dieses Prinzip wurde ausgenutzt, um laterale Beugungsgitter auf der Basis von porösem Silicium herzustellen: Durch Abbildung z. B. einer Zweistrahl-Laserinterferenz auf der Probenoberfläche führt eine Nachbeleuchtung der Proben im Elektrolyten zur Ätzung der abgebildeten Streifenstrukturen, wobei die helleren Bereiche stärker, die dunkleren Bereiche weniger stark geätzt werden. Zum einen führt dies zu einer lateralen, periodischen Änderung des Brechungsindexes, zum anderen kann bei geeigneter Parameterwahl selektiv in den stärker beleuchteten Bereichen ein vollständiger Abtrag der Schicht erzielt werden. Es wurden die Beugungsgitter in Abhängigkeit der Herstellungsparameter mit SEM und Reflexionsspektroskopie untersucht sowie deren Beugungsbild aufgenommen.