Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Poröses Si

HL 36.8: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:45–13:00, H4

Untersuchung des strukturellen Tiefengradienten in porösem Silicium — •M. Thönissen¹, M. Krüger¹, W. Theiß², S. Hilbrich² und H. Lüth¹ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik (ISI), Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich — ²I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Zwei wesentliche Mechanismen können die Tiefenhomogenität in porösem Silicium beeinflussen: Das chemische Ätzen und schichtdickenabhängige Diffusionsprobleme im Elektrolyten. Zu diesem Zweck wurden zum einen Schichtdickenoszillationen in der Reflexion während des Ätzprozesses ausgewertet, um dadurch Änderungen in der optischen Dicke während des Ätzens zu ermitteln. Zum anderen wurden Schichtsysteme mit je einer hoch- und niederporösen Schicht hergestellt und die Dicke der niederporösen Schicht sukzessive erhöht. Die resultierenden Schwebungen im Reflexionsspektrum wurden ausgewertet und anhand der theoretisch angepaßten dielektrischen Funktionen die optischen Dicken der niederporösen Schichten bestimmt. Die Effekte von chemischem Ätzen und Diffusionsprobleme im Elektrolyten konnten somit qualitativ und quantitativ bestimmt werden.