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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Devices (elektrisch)

HL 37.10: Talk

Friday, March 21, 1997, 13:15–13:30, H3

Elementverteilungsbilder vergrabener Oxidschichten von silicon-on-insulator Strukturen — •C. Hülk¹, E. Schroer² und H. Kohl¹ — ¹Physikalisches Institut der Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster — ²Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, D-06120 Halle/Saale

Ein energiefilterndes Transmissionselektronenmikroskop ermöglicht die Erstellung von quantitativen Elementverteilungsbildern. Diese entstehen durch Selektion von Elektronen eines Energieverlustes, der charakteristisch für die Innerschalenanregung des abgebildeten Elements ist. Zusätzlich ist eine Bildkorrektur durch Extrapolation des durch niederenergetische Verluste entstehenden kontinuierlichen Untergrundes erforderlich.
Mit dieser Methode wurden durch “bond and etch-back“-Verfahren hergestellte vergrabene Oxidschichten von silicon-on-insulator Strukturen untersucht. Es werden Verteilungsbilder von Querschnittspräparaten mit vergrabenen Oxidschichten unterschiedlicher Dicke vorgestellt.