Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 37: Devices (elektrisch)

HL 37.2: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:15–11:30, H3

Epitaktisch gewachsene Silizium Spitzen als Feldemitter — •H. Geiger, F. Kaesen, H. Baumgärtner und I. Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg

Am Institut werden Spitzen aus Silizium mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie und Mikroschattenmasken hergestellt. Bei geeigneter Wahl der Prozeßparameter bilden sich einkristalline Spitzen mit nahezu atomarer Auflösung. Als Oberflächen der Spitzen bilden sich die energetisch günstigsten (111) Flächen aus. Dadurch sind die Spitzen stabil gegen hohe thermische Belastungen. Diese Spitzen können als Feldemitter (z.B. für Feldemissionsdisplays oder Vakuum Mikroelektronik) verwendet werden. Es wird ein physikalisches Wachstumsmodell vorgestellt und erste Ergebnisse über das Emissionsverhalten diskutiert.