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HL: Halbleiterphysik

HL 37: Devices (elektrisch)

HL 37.6: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:15–12:30, H3

Simulation von vertikalen Kurzkanal-MOSFETs — •M. Kittler, H. Förster, D. Nuernbergk, F. Schwierz und G. Paasch — Institut für Festkörperelektronik, Technische Universität Ilmenau, PF 100565 , D-98684 Ilmenau

Durch die Entwicklung vertikaler MOSFETs ist man gegenüber lateralen MOS-Transistoren in der Lage, Kanallängen im tiefen Submikrometerbereich (L<100nm) leichter zu realisieren. Aufgrund dieser kurzen Kanallängen sind bei vertikalen MOS-Transistoren sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten zu erwarten. Die Entwicklung und Realisierung vertikaler Kurzkanal-MOS-Strukturen befindet sich derzeit international noch im Anfangsstadium. Ein wichtiges Hilfsmittel bei der Optimierung dieser neuartigen Transistorstruktur bildet deshalb die Simulation. Das stationäre Verhalten vertikaler Si-MOS-Kurzkanaltransistoren wurde durch zweidimensionale Bauelementesimulationen untersucht. Auf der Grundlage des Hydrodynamischen (HD) Modells wurden Übertragungs- und Ausgangskennlinien verschiedener Transistorstrukturen simuliert. Die Ergebnisse, insbesondere die bei Strukturen mit geteiltem Draingebiet auftretenden Anomalien der Ausgangskennlinien, werden diskutiert und physikalisch interpretiert. Aus den Simulationen werden Design-Richt-linien für vertikale Kurzkanal-MOSFETs abgeleitet.