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HL: Halbleiterphysik
HL 37: Devices (elektrisch)
HL 37.9: Talk
Friday, March 21, 1997, 13:00–13:15, H3
Einfluß von Potentialbarrieren auf den ganzzahligen Quanten-Halleffekt — •F. Gagel1 and K. Maschke2 — 1Institut für Physik,TU Chemnitz-Zwickau, 09107 Chemnitz — 2Institut de Physique Appliquée, Ecole Polytechnique Fédérale, CH 1015 Lausanne, Schweiz
Der Einfluß von Potentialbarrieren auf Leitwert und Hallwiderstand im Quanten-Hall Regime wird numerisch in einer experimentell üblichen Sechskontaktanordnung untersucht. Für rechtwinklig zur Transportrichtung verlaufender Barrieren erhalten wir, in Übereinstimmung mit den experimentellen Ergebnissen [1], zusätzlich zur Quantisierung des Hallwiderstandes Rxy Plateaus im longitudinalen Widerstand Rxx. Die fraktionären Rxx–Plateaus sind in diesem Fall unabhängig von der Richtung des Magnetfeldes. Wir zeigen, daß diese Invarianz nicht mehr besteht, wenn die Potentialbarriere diagonal über einem Hallkreuz angeordnet wird. Unsere numerischen und analytischen Ergebnisse [2] ergeben hier eine nichttriviale Abhängigkeit der fraktionären Widerstandsplateaus von der Richtung des Magnetfeldes. Die experimentelle Überprüfung unserer theoretischen Voraussagen würde einen interessanten Test des Randzustandsbildes liefern.
[1] R. J. Haug, Semicond. Sci. Technol. 8, 131 (1993)
[2] F. Gagel, K. Maschke, Phys. Rev. B 54, 10346 (1996)