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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Implantation

HL 38.7: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:30–12:45, H2

Leerstellenartige Defekte in Silizium nach Ionenimplantation und ihr Ausheilverhalten — •Stefan Eichler, Frank Börner, Jörg Gebauer und Reinhard Krause-Rehberg — Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle (Saale)

In Silizium (100) wurden durch Ionenimplantation der Elemente Bor, Silizium und Arsen Defekte mit offenem Volumen erzeugt. Die Dosisabhängigkeit sowie das Ausheilverhalten bzw. die Agglomeration der entstehenden Defekte wurde mit der Positronenstrahltechnik untersucht.