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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.2: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:15–11:30, H1

Hochfeldtransport in δ-dotierten GaAs-Übergittern — •M. Peter¹, J. Heber¹, S. Eckl¹, S. Malzer¹, G.H. Döhler¹, A. Förster² und H. Lüth² — ¹Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, 91058 Erlangen — ²Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

δ-dotierte n-i-p-i Dotierungsübergitter ergeben eine periodische sägezahnförmige Modulation der Bandkanten in Wachstumsrichtung. Die Höhe der resultierenden Barrieren ist durch die Probenparameter wie Dotierkonzentrationen und Periodenlänge einstellbar. Durch ein angelegtes äußeres elektrisches Feld in Wachstumsrichtung werden die Barrieren zunehmend abgebaut. Für den Transport ergeben sich verschiedene Mechanismen. So beobachteten wir in n-typ δ-dotierten GaAs-übergittern bei hohen Feldern eine einsetzende Stufe in der Stromspannungskennlinie, die wir aufgrund selbstkonsistenter Berechnungen auf den Transportbeitrag eines angeregten höheren Subbandes zurückführen. Weiterhin war bei diesen Feldern eine Bistabilität in der Kennlinie zu beobachten. Insbesondere die Ergebnisse aus Elektrolumineszenz und Photostromuntersuchungen deuten darauf hin, daß diese Bistabilität durch die Generation von Löchern durch Stoßionisation im Hochfeldfall erklärt werden kann. Dabei ist vor allem die Relaxation der heißen Elektronen aus dem Tunnel- bzw. thermisch aktivierten Transport entscheidend.