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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.5: Talk

Friday, March 21, 1997, 12:00–12:15, H1

Elektrooptische Bestimmung der Bandstruktur von InGaAs/InP — •Arndt Jaeger und Gerhard Weiser — Fachbereich Physik der Philipps-Universität Marburg

In Elektroabsorptionsspektren von InGaAs/InP werden bei hohen elektrischen Feldern über mehr als 0.5eV hinweg zahlreiche Franz-Keldysh-Oszillationen beobachtet. Eine Fourieranalyse der Spektren erlaubt durch die Separation der optischen Übergänge aus den verschiedenen Valenzbändern in das Leitungsband die Bestimmung der effektiven Massen bis zu 0.4eV oberhalb der Energielücke. Mit dieser Methode konnte erstmalig die starke Nichtparabolizität des Leichtlochbandes und die Masse im split-off Valenzband von InGaAs gemessen werden. Ein quantitativer Vergleich von berechneten und experimentellen Spektren zeigt eine hervorragende Übereinstimmung unter Verwendung der energieabhängigen Massen. Die gemessene Nichtparabolizität der Bänder wird an Hand von Ergebnissen einer 8x8 kp-Bandstrukturrechnung diskutiert.