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HL: Halbleiterphysik
HL 39: III/V
HL 39.6: Vortrag
Freitag, 21. März 1997, 12:15–12:30, H1
Doppelbrechung in geordnetem (Al)GaInP — •R. Wirth, C. Geng, F. Scholz und A. Hangleiter — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
Unter bestimmten Wachsumsbedingungen kommt es in der metallorganischen
Gasphasenepitaxie von (Al)GaInP zur Ausbildung eines (111)
Übergitters von Ga- bzw. (Al)Ga- und In-reichen Ebenen[1].
Der geordnete Kristall besitzt, gegenüber
der tetraedrischen Symmetrie Td von ungeordnetem
(Al)GaInP, die reduzierte
Symmetrie der CuPtB-Struktur.
Durch die Ordnung kommt es zu einer Bandlückenabsenkung und
Aufspaltung der Valenzbänder. Dies und andere Folgen für den Imaginärteil
des Dielektrizitätstensors є sind intensiv untersucht worden.
Hier werden nun Messungen der von der Ordnung herrührenden
Doppelbrechung vorgestellt. Weit unter der Bandkante ist der geordnete
Kristall positiv, zur Bandkante hin negativ doppelbrechend.
Die Untersuchung von Re(є)
führt zum einen zur Überprüfung und Ergänzung der in den letzten
Jahren aus der Untersuchung von Im(є) gewonnen
Kenntnisse der Bandstruktur geordneter Kristalle. Zum anderen
eröffnet die Untersuchung der Doppelbrechung Wege zu neuen
technischen Anwendungen[2].
[1] A. Gomyo, T.Suzuki, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, Appl. Phys. Lett. 50, 673 (1987)
[2] R. Wirth, A. Moritz, C. Geng, F. Scholz, A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 69, 2225 (1996)