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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.7: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:30–12:45, H1

Quantisierte optische Phononen und Grenzflächenkorrugation in (113)A GaAs/AlAs Übergittern — •D. Lüerßen¹, A. Dinger¹, D. Queck¹, H. Kalt¹, W. Braun², K. Ploog², J. Tümmler³ und J. Geurts³ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — ²Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, D-10117 Berlin — ³I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Wir stellen Ergebnisse zu quantisierten optischen Phononen in (113)A GaAs/AlAs Übergittern vor, die mit Hilfe von Ferninfrarot- (FIR) Reflexionsmessungen mit einem Fourierspektrometer und Ramanspektroskopie gewonnen wurden. Die GaAs- und AlAs-ähnlichen LO-Moden wurden dabei zum ersten Mal in FIR Reflexionsmessungen bis zur 3. Ordnung beobachtet. Dies wurde möglich durch die Kombination von schräger Inzidenz und der Verwendung von dotierten Substraten.

In-situ-RHEED-Untersuchungen an (113)A GaAs/AlAs Übergittern im gepulsten MBE-Wachtum zeigen, daß die normale Grenzfläche durchmischt und die invertierte abrupt ist. In Ramanspektroskopie wird ein Aufspalten der höheren GaAs-ähnlichen LO-Moden beobachtet. Ein Vergleich der Raman-Verschiebungen mit der Dispersionsrelation bestätigt die Durchmischung der einen Grenzfläche und zeigt für die andere eine Korrugation von 2 Bilagen (0.34 nm) auf. Wir stellen damit ein auch mit weiteren Experimenten verträgliches Modell für die Grenzflächenkorrugation in dieser Art Übergitter vor.