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HL: Halbleiterphysik

HL 39: III/V

HL 39.9: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 13:00–13:15, H1

Interband Absorption induzierte Photoleitfähigkeit in InAs/AlSb Quantentöpfen — •M. Hartung¹, A. Wixforth¹, J.P. Kotthaus¹, B. Brar², M. Thomas² und H. Kroemer² — ¹Sektion Physik, Ludwig-Maximilians-Universität München, D-80539 München — ²Dept. of Electrical and Computer Engineering, UC Santa Barbara, USA

Auf dem Materialsystem InAs/AlSb basierende Quantentöpfe zeichnen sich durch vergleichsweise hohe Ladungsträgerdichten und kleine effektive Elektronenmassen gegenüber AlGaAs/GaAs Strukturen aus. Da sie jedoch eine Typ II Heterostruktur ausbilden und somit keine gebundenen Lochzustände im Valenzband aufweisen, sind Lumineszenzexperimente nur schwierig durchzuführen. Es zeigt sich jedoch, daß die Interbandabsorption zu deutlich ausgeprägten Änderungen des lateralen Widerstandes führt, wodurch Interbandspektroskopie mittels Fouriertransformations-Photoleitungs-Experimenten ermöglicht wird. Die Verwendung eines starken Magnetfeldes erweist sich dabei als nützliches Werkzeug, um den Photoleitungsmechanismus zu verstehen. Die Aufspaltung der Subbandenergien in einen Landau-Fächer läßt sich dabei in den Photoleitungsspektren direkt nachweisen. Es gelingt, sämtliche relevanten Größen wie Bandlücke, Fermie-Energie, Subbandenergien und die energieabhängige effektive Masse im Quantentopf zu bestimmen.