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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.101: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Heteroepitaxie von GaN mittels LPCVD auf hochangepaßten oxidischen Substraten — •M. Topf¹, O. Breitschädel¹, S. Koy-nov², S. Fischer¹ und B.K. Meyer¹ — ¹I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen — ²CLSENES Bulgarian Academy of Science, 1784 Sofia, Bulgaria

Die Heteroepitaktische Herstellung dünner GaN-Schichten auf stark fehlangepaßten Fremdsubstraten, wie Al₂O₃ oder SiC, hat in den letzten Jahren rasante Fortschritte durch die Verwendung einer dünnen Pufferschicht gemacht. Dennoch erhält man aufgrund der thermischen Fehlanpassung stark verspannte GaN-Schichten. Mit der Verwendung von thermisch und strukturell besser angepaßten Substraten läßt sich dieses Problem umgehen. Wir stellen erste Erebnisse der heteroepitaktischen Herstellung von GaN mittels eines LPCVD- Verfahrens (mit NH₃ als N- und GaCl₃ als Ga-Vorstufe) auf hochangepaßten oxidischen Substraten (LiGaO₂, LiAlO₂) vor. Dabei ist eine drastische Änderung der für die Deposition auf Al₂O₃ als optimal anzusehenden Wachstumsparameter von Nöten, da die verwendeten oxidischen Substrate bei den für Al₂O₃-Substrate verwendeten hohen Temperaturen von etwa 970^∘C thermisch instabil sind.