Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.16: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Photoinduzierte Ströme an FIB implantierten Linien auf GaAs-Heterostrukturen — •C. Heidtkamp, S. Brosig, G. Kortenbruck und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum

Mittels OBIC werden focused ion beam implantierte GaAs Heterostrukturen durch einen Laser ortaufgelöst abgerastert. Der Übergang über die FIB Linie entspricht einem npn-Übergang. Beim Bestrahlen werden in der GaAs Schicht Elektronen und Löcher generiert. Wird die Struktur außerhalb der Linie bestrahlt, so gelangen die Löcher auf grund von Diffusion bis zum Barrierenrand und werden dort vom elektrischen Feld in die Barrierenmitte beschleunigt, wodurch ein Strom fließen kann. Dieser Strom ermöglicht es, die Diffusionslänge der Löcher in GaAs zu bestimmen und die Barrierenhöhe der Linie zu bestimmen. Wird bei einer über die Linie angelegten Spannung die Linie direkt bestrahlt, so entstehen Elektronen im Verarmungsbereich, die durch das elektrische Feld aus diesem Bereich herausbewegt werden. Durch die Asymmetrie des elektrischen Feldes entsteht so ein Strom, der linear mit der angelegten Spannung ansteigt. Durch diesen Strom kann z.B. die Abhängigkeit der Barrierenhöhe von der Intensität untersucht werden. Ab einer gewissen Sättigungsspannung dehnt sich die Verarmungszone linear mit der angelegten Spannung aus (lateraler Feldeffekt). Diese Linearität wird ebenfalls mittels OBIC nachgewiesen.