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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.19: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Untersuchungen zur Cadmium-Diffusion in Galliumarsenid — •G. Bösker¹, N.A. Stolwijk¹, H. Mehrer¹, U. Södervall² und W. Jäger³ — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm–Klemm–Straße 10, D-48149 Münster — ²Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-41296 Göteborg — ³Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Für die Fabrikation von auf GaAs basierenden elektronischen Bauelementen ist eine genaue Kenntnis der Diffusion von Dotierstoffen, besonders denen, die das Ga-Untergitter besetzen, unabdingbar. Aus diesem Grund wurden in dieser Arbeit Diffusionsexperimente im Temperaturbereich von 750^∘C bis 1201^∘C unter Verwendung elementarer Cd- bzw. Cd/As-Quellen an intrinsischem und extrinsischem (C_Zn ≈ 1· 10¹⁹cm⁻³) GaAs durchgeführt. Für die diffundierten Kristalle wurde die Defektfreiheit mittels TEM bestätigt. Die resultierenden Diffusionsprofile wurden mittels der Spreading-Resistance- und SIMS-Analyse gemessen und stimmten in den Grenzen der Meßfehler für beide Verfahren überein. Sie ließen sich im Rahmen des Kick-Out-Mechanismus unter Annahme bestimmter Ladungszustände für die verschiedenen an der Diffusion beteiligten Diffusoren gut beschreiben. Die numerischen Anpassungen führten zu Daten sowohl für die Cd-Fremddiffusion als auch für die Ga-Selbstdiffusion. Die berechneten Diffusionskoeffizienten waren für die verschiedenen Diffusionsbedingungen (mit/ohne elementarem As) in sich konsistent.