Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.2: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
MBE-Wachstum und selbstkonsistente Modellrechnungen von Ga1−x Alx As Heterostrukturen — •M. Versen und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum
Die GaAs/Ga1−x Alx As Heterostruktur, die von großer Bedeutung in Forschung und Entwicklung [1] wie auch in der industriellen Anwendung in Form von HEMTs ist, wurde mittels numerischer Rechnungen untersucht [2]. In unserem Ansatz verwenden wir die experimentell bekannten Schichtparameter aus dem MBE-Wachstum, um eine selbstkonsistente Rechnung durchzuführen und mit gemessenen Ergebnissen zu vergleichen. Dabei wird besonderer Wert auf die direkte Iteration von MBE-Wachstum, Analyseergebnis und theoretischer Modellierung gelegt. Ein weiterer Schwerpunkt ist die mit dieser Methode bestimmte Abhängigkeit der Elektronendichte von der Spacerdicke bei gegebener Dotierung.
[1] K. Ploog, Angew.Chem. 100, 611 (1988)
[2] F. Stern and S. Das Sarma, Phys.Rev.B 30, 840 (1984)