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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.23: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Spektral-Ellipsometrie und optische Konstanten von
(Al_xGa_1−x)InAs gitterangepaßt an InP — •J.-D. Hecht¹, B. Rheinländer¹, V. Gottschalch², G. Benndorf¹, J. Kovác³ und G. Wagner² — ¹Fakultät für Physik und Geowissenschaften Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — ²Fakultät für Chemie und Mineralogie, Universität Leipzig — ³Dept. für Mikroelektronik, Slowakische Technische Universität

Die optischen Konstanten von (Al_xGa_1−x)InAs wurden im Wellenlängenbereich 300-1700 nm bei Zimmertemperatur mittels Ellipsometrie an (0,5 - 1,0) µm dicken Schichten bestimmt. Die Anpassung der gemessenen ellipsometrischen Parameter Ψ und Δ an berechnete Spektren erfolgte für den Brechungsindex im Transparenzbereich über eine Cauchy-Funktion und für die є₁,є₂-Spektralverläufe im Absorptionsbereich punktweise. Die Abhängigkeiten von n(λ=1300nm) und der Bandlücken-Energie vom x-Wert, der durch Photoluminiszensmessungen ermittelt wurde, werden angegeben. Auf der Grundlage dieser Daten wurden Bragg-Reflektoren aus Schichtpaaren von InP und (Al_xGa_1−x)InAs für Vertikal-Resonatoren für eine Resonanzwellenlänge von 1300 nm berechnet und mittels MOVPE hergestellt. Die Bragg-Reflektoren wurden durch Spektral-Ellipsometrie, Reflektometrie und TEM hinsichtlich der optimalen Schichtdicken und deren vertikaler und lateraler Homogenität analysiert.