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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.26: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Elektrisch detektierte magnetische Resonanz an GaAs/AlGaAs Heterostrukturen und neutronenbestrahltem sowie plastisch deformiertem GaAs — •T. Wimbauer, N. M. Reinacher, M. S. Brandt, D. M. Hofmann und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D–85748 Garching
Wir berichten über elektrisch detektierte magnetische Resonanz (EDMR) an GaAs/AlGaAs Heterostrukturen. Die spinabhängige Photoleitfähigkeit hängt stark von den verwendeten Kontakten ab. Im Falle einfacher Leitsilberkontakte fließen vor allem Oberflächenströme, wodurch Oberflächendefekte (gebrochene Bindungen) erfolgreich detektiert werden konnten. Bei der Verwendung von einlegierten In-Kontakten kann davon ausgegangen werden, daß der Strom auch in tieferliegenden Schichten fließt. Es werden jetzt neben einer breiten, isotropen Linie hoher Intensität um g ≈ 2 auch Resonanzen geringerer Intensität beobachtet, die durch Literaturvergleich als intrinsische Defekte identifiziert werden konnten (AsGa und Gai). Die Ergebnisse ähnlicher Messungen an neutronenbestrahlten und plastisch deformierten GaAs-Volumenkristallen werden ebenfalls vorgestellt.