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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.27: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Wachstumsoptimierung von GaAs Quantentöpfen auf (110) Spaltflächen — •G. Schedelbeck, W. Wegscheider, M. Bichler und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, Techn. Universität München , D-85748 Garching

Das in situ Überwachsen von Spaltflächen (Cleaved Edge Overgrowth) zur Herstellung quasi ein- und nulldimensionaler Nanostrukturen erfordert eine gute Kontrolle des Wachstums auf der (110) GaAs Spaltfläche. Mit Mikro-Photolumineszenzmessungen wurde der Einfluss der Wachstumstemperatur sowie des As Partialdrucks für As₄ und As₂ Molekülstrahlen auf die Qualität von 70Å breiten [110] orientierten GaAs Einfachquantentöpfen untersucht. Unter optimierten Wachstumsbedingungen werden Linienbreiten mit FWHM = 5.5meV bei guter Homogenität erreicht. Die Degradation der Quantentopfqualität aufgrund schlechter Oberflächenmorphologie wird anhand von lichtmikroskopischer und AFM Charakterisierung diskutiert.