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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.28: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Bestimmung der Ordung von InGaP/GaAs mit Raman-Spektroskopie — •P. Vogt¹, K. Hinrichs¹, A. Rumberg¹, K. Knorr¹, N. Esser¹, W. Richter¹ und C. Geng² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin — ²4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart

InGaP–Proben verschiedener Orientierungen und Ordnungsgrade, mit MOVPE gitterangepaßt auf GaAs(100) gewachsen, wurden mit Raman- und Photolumineszenz–Spektroskopie untersucht. Beide Meßmethoden wurden ex–situ an einer Mikroramanapparatur durchgeführt. Man beobachtet mit Ramanspektroskopie an ternärem InGaP ein modifiziertes Zweimodenverhalten. Es zeigt sich, daß sich der Ordnungsgrad nicht nur aus der energetischen Lage der Bandkantenlumineszenz, sondern auch direkt aus dem Raman-Spektrum bestimmen läßt. Dabei besteht ein linearer Zusammenhang zwischen der Bandkantenlumineszenz und den aus den Raman-Spektren gewonnenen relativen Taltiefe zwischen dem GaP-artigen LO₁- und dem InP-artigen LO₂ Phononen.

Ordnungsphänomene zeigen darüber hinaus einen deutlichen Einfluß auf Anzahl und relative Intensität der Raman–Moden. Bei geordneten und ungeordneten Proben gelten aufgrund der verschiedenen Kristallsymmetrien unterschiedliche Auswahlregeln für die inelastische Lichtstreuung.