Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.33: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Halleffekt-Untersuchungen von ¹¹¹In(¹¹¹Cd) in InP. — •C. v. Nathusius und R. Vianden — ISKP, Univ. Bonn

Ionenimplantierte p-Dotieratome in InP können nicht vollständig aktiviert werden. Diese Verhalten ist noch ausgeprägter als bei n-Dotierungen [1]. Zur Untersuchung wurde ¹¹¹In bei 80 keV in s.i. InP (Fe dotiert) implantiert. Wie bei früheren Experimenten an GaAs [2] wurde nach einem Ausheilschritt (RTA 800^∘C unter einem Si₃N₄-cap) das elektrische Verhalten der implantierten Schicht in der Probe über Halleffekt- und Widerstandsmessungen beobachtet. Im Gegensatz zur direkten Implantation von Cd wird das ¹¹¹In auf In-Gitterplätzen eingebaut und zerfällt erst dort zu Cd. Es werden so die Schwierigkeiten umgangen, Cd in InP direkt zu aktivieren [3]. Im Rahmen der Untersuchungen konnte die erwartete Änderung des elektrischen Verhaltens beobachtet und untersucht werden.

[1] M. C. Ridgeway, P. Kringhøj, J. Appl. Phys. 77 (5), (1995)

[2] G. Rohrlack, Promotion Univ. Bonn, (1996)

[3] R. Spengler et. al., Jahresber. 1995, Univ. Konstanz - Nukl. Festkörperphysik