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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.38: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

3-dimensionale Ätzsimulation von Halbleitereinkristallen — •M. Chahoud, H.-H. Wehmann und A. Schlachetzki — Institut für Halbleitertechnik, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, D-38106 Braunschweig

Das anisotrope naßchemische Ätzen ist ein wichtiger Prozeßschritt in der Herstellung von mikromechanischen und mikroelektronischen Halbleiterbauelementen. Dabei hängt das Ätzergebnis nicht nur von der Maskenstruktur, sondern auch von den Ätzraten in den unterschiedlichen Kristallrichtungen ab. Dies macht eine Vorhersage über das Ätzergebnis häufig sehr schwierig. Aus diesem Grund sind Ätzsimulatoren ein gutes Hilfsmittel zur Verringerung des technologischen Aufwandes. Wir haben einen Ätzsimulator entwickelt, der auf einer Zellendarstellung des Kristalls beruht. Die Zellen sind kubisch primitiv angeordnet. Diese Darstellung erlaubt es, sowohl Diamant- als auch Zinkblende-Gitter zu behandeln. Es werden bei der Simulation nur signifikante Kristallrichtungen berücksichtigt (Minima und Maxima im geätzten Wagenrad-Struktur). Wir haben das Simulationsmodell auf das Ätzsystem InP/HBr erfolgreich angewandt.