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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.40: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Mikroskopische Identifizierung der Aufl"osungsmechanismen von Si-Ausscheidungen in geheiztem, Si-dotiertem GaAs — •C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, and K. Urban — Institut f"ur Festk"orperforschung, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich
F"ur die Herstellung von n-dotiertem GaAs wird h"aufig Si als Dotierstoff verwendet, wobei Si bevorzugt Ga-Gitterpl"atze (SiGa) besetzt. Ab einer bestimmten Si-Konzentration tritt eine Kompensation auf, d.h. je h"oher mit Si dotiert wird, desto weniger freie Ladungstr"ager stehen zur Verf"ugung. Ursache der Kompensation ist unter anderem die Bildung von Si-Ausscheidungen und (SiGa–Ga-Leerstelle (VGa))-Komplexen [1]. Heizt man jedoch Si-dotiertes GaAs bei 1100∘C unter As-"Uberdruck, erh"oht sich die Dichte der freien Ladungstr"ager. Um auf mikroskopischer Ebene diesen Effekt besser zu verstehen, werden mit einem Rastertunnelmikroskop die Defekte auf den (110)-Spaltoberfl"achen von ex-situ unter As-"Uberdruck geheiztem und zum Vergleich von unbehandeltem GaAs atomar abgebildet. "Uber die Ausz"ahlung der Defekte werden die Fl"achen- und daraus die Volumendichten abgesch"atzt. Es zeigt sich, da"s sich die Si-Ausscheidungen nach dem Ausheizen zum gr"o"sten Teil aufgel"ost haben. Gleichzeitig hat sich die Dichte von SiGa und den (SiGa-VGa)-Komplexen erh"oht. Es wird ein Modell zur Erkl"arung des Mechanismus zur Aufl"osung der Si-Ausscheidungen diskutiert.
[1] C. Domke et al., Phys. Rev. B. 54 (15) (1996)