Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.41: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

MOVPE und Charakterisierung antimonhaltiger III-V Verbindungshalbleiter und Übergitter — •A. Behres, H. Werner, C. v. Eichel-Streiber, M. Heuken und K. Heime — Institut für Halbleitertechnik, RWTH-Aachen

Antimonhaltige III-V-Halbleiter eignen sich wegen ihrer geringen Energielücke als aktive Schicht für Leuchtdioden und Laser im Wellenlängenbereich von 2-4 µm für die Umwelt- und Medizintechnik. Von besonderem Interesse sind verspannte und unverspannte Übergitter, die unerwünschte Auger-Rekombinationen unterdrücken. Es wurden dicke gitterangepaßte ternäre InPSb und quaternäre InGaAsSb Schichten sowie InPSb/InAs und InAs/InAsSb Übergitter auf InAs-Substrat abgeschieden. Der Einfluß der Wachstumsparameter wie Temperatur und V/III-Verhältnis auf die Oberflächenmorphologie und auf das Auftreten charakteristischer Defekte wurde untersucht. Die strukturellen und optischen Eigenschaften von Bulk-Schichten und Übergittern wurden mit Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz charakterisiert. Die sehr gute Übereinstimmung von simulierten und gemessenen Rockingkurven läßt auf eine gute kristalline Qualität schließen. Darüberhinaus ist kein störender Einfluß ungewollter Interfaceschichten an Heteroübergängen zu erkennen.