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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.42: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

MOVPE von n- und p-dotiertem GaInAs mit TBAs als alternativer Gruppe-V-Quelle — •Ch. Giesen¹, X. Xu¹, M. Heuken¹, R. Hövel² und K. Heime¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, RWTH-Aachen — ²jetzt Aixtron, Aachen

Aufgrund des enormen Gefahrenpotentials, das von den Standard-Gruppe-V-Quellen Arsin (AsH₃) und Phosphin (PH₃) ausgeht, versucht man mit Blick auf eine großindustrielle Produktion von Halbleiterbauelementen mittels MOVPE diese durch die weniger gefährlichen, flüssigen, metallorganischen Quellen Tertiärbutylarsin (TBAs) und Tertiärbutylphosphin (TBP) zu ersetzen. Bei vorangegangenen Wachstumsuntersuchungen konnte bereits gezeigt werden, daß TBAs als Ersatz für Arsin bei der Abscheidung von GaInAs hervorragend geeignet ist. Hier werden nun Experimente zur gezielten n-Dotierung mit Disilan (Si₂H₆) bzw. p-Dotierung mit Diethylzink (DEZn) unter Verwendung von TBAs vorgestellt. Es wurde der Einfluß der Prozeßparameter Dotierstoffangebot, Wachstumstemperatur, V/III-Verhältnis und Totaldruck auf die jeweilige Ladungsträgerkonzentrationen untersucht. Im Vergleich mit Arsin hat sich gezeigt, daß sowohl bei der n- als auch bei der p-Dotierung mit der alternativen Quelle höhere Ladungsträgerkonzentrationen erzielt werden können. Bei der p-Dotierung waren hierfür die durch die geringere thermische Stabilität von TBAs ermöglichten tieferen Wachstumstemperaturen verantwortlich. Bei der n-Dotierung kommt dagegen wahrscheinlich eine höhere Zerlegungseffizienz des Disilan im Beisein des TBAs zum Tragen.