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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.44: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

ODMR und Level-Anticrossing-Spektroskopie an GaAs/AlAs-Superlattices — •W. von Foerster¹, A. Hofstaetter¹, B.K. Meyer¹, A. Scharmann¹, C. Schnorr¹, P.G. Baranov², N.G. Romanov², F.-J. Ahlers³ und K. Pierz³ — ¹I. Physikalisches Institut, Universität Gießen, 35392 Gießen — ²A.F. Ioffe Phys.-Tech. Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg — ³PTB, Braunschweig

Wir haben optisch nachgewiesene magnetische Resonanz-(ODMR-) und Level-Anticrossing-(LAC-)Spektroskopie am Niveausystem der Triplett-Exzitonen in einem weiten Temperaturbereich zur Charakterisierung mit MBE gewachsener GaAs/AlAs-Superlattices (SL) eingesetzt. Dabei wurden unter verschiedenen Bedingungen (einschließlich Wachstumsunterbrechung nach GaAs- bzw. AlAs-Abscheidung) hergestellte Typ II- und Typ I-SL systematisch untersucht. Das Studium der LAC-Signale auf der von den heavy-hole-Exzitonen herrührenden Lumineszenz in linearer und zirkularer Polarisation erlaubte die Unterscheidung der jeweiligen Interfaces, an denen die Exzitonen lokalisieren, und dadurch Aussagen über die Interface-Qualität. Die Vorteile der LAC-Spektroskopie zeigten sich besonders bei den Typ I-Proben, wo ODMR aus Gründen der Lebensdauer nicht zum Erfolg führt. Hier konnte über die Linearpolarisation der Emission eine Aufspaltung der strahlenden Exzitonen-Niveaus nachgewiesen werden.