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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.48: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Minibandbildung und Wannier–Stark–Lokalisierung in zweiatomigen GaAs/AlGaAs–Übergitterstrukturen   — •H. Stroh¹, W. Geißelbrecht¹, N. Linder¹, G.H. Döhler¹, H.T. Grahn² und K.H. Ploog² — ¹Institut für Technische Physik, Universität Erlangen–Nürnberg — ²Paul–Drude–Institut für Festkörperelektronik, Berlin

In Übergitterstrukturen, die aus einer periodischen Folge von abwechselnd breiten und schmalen Quantentöpfen mit einheitlich breiten Barrieren dazwischen bestehen, lassen sich bei entsprechender Wahl der Topfbreiten die Grundzustände der schmalen Töpfe mit den ersten angeregten Zuständen der breiten Töpfe im Leitungsband in Resonanz bringen. Im allgemeinen Fall erhält man dagegen lediglich eine resonante Kopplung der Grundzustände aller breiten sowie aller schmalen Töpfe getrennt voneinander. Bei Anlegen eines elektrischen Feldes in Wachstumsrichtung tritt in der Interbandabsorption zwischen schweren Löchern und Elektronen im Gegensatz zu herkömmlichen Übergittern dann nicht nur eine Serie von Wannier–Stark–Übergängen mit ganzzahligen Indizes auf, sondern es ergeben sich zwei Serien mit ganzzahligen und zwei mit halbzahligen Indizes, je nachdem, ob die bei den Wannier–Stark–Übergängen involvierten Loch– und Elektron–Zustände derselben Sorte von Töpfen angehören oder nicht. Wir untersuchen die Elektroabsorption von zweiatomigen GaAs/AlGaAs–Übergitterstrukturen mittels doppelt–modulierter Photostrom–Spektroskopie und erklären die Minibandbildung im Nullfeldfall mit Hilfe eines modifizierten Kronig–Penney–Modells.