Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.50: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Tiefenaufgelöste Untersuchung des Schadensprofils von N2- und Ar- Ionenstrahl geätzten AlGaAs/GaAs-MQW-Strukturen mittels Photolumineszenzspektroskopie — •F. Frost1, K. Otte1, A. Schindler1, F. Bigl1, G. Lipppold2 und V. Gottschalch3 — 1Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, D-04318 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentalphysik II, Linnestraße 3, D-04103 Leipzig — 3Fakultät für Chemie und Mineralogie, Institut für Anorganische Chemie, Linnestraße 3, D-04103 Leipzig
Mittels Photolumineszenzspektroskopie an verschiedenen
Ionenstrahl-Schrägschliffen
(Tiefenauflösung ± 1 nm) wurde die Defektverteilung von
niederenergetisch
(Ionenenergie ≤ 500 eV) N2- und Ar-trockengeätzten GaAs und
AlGaAs,
bestimmt. Als Tiefensonde diente eine Al0.35Ga0.65As/
GaAs-Multi
Quantum Well-Struktur entsprechend einem von Germann et al. entwickelten
Verfahren [1].
Die so erhaltenen Defektprofile lassen sich sehr gut durch ein von uns
weiterentwickeltes Modell von Davis und Jha [2] beschreiben. Dabei ist
sowohl
der Verlauf des Defektprofils als auch die Gesamtzahl der induzierten
Defekte
entscheidend von der Ätzrate, dem Diffusionskoeffizienten der Defekte
und
einer charkteristischen Abfallänge abhängig.
[1] R. Germann, A Forchel, M. Bresch, H. P. Meier, J. Vac. Sci. Technol. B7(6), 1475 (1989)
[2] R. J. Davis, P Jha, J. Vac. Sci. Technol. B13(2), 242 (1995)