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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.51: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Zyklotronresonanz lichtinduzierter Elektronen in GaAs — •M. Manger¹, M. Rösch¹, E. Batke¹, K. Köhler² und P. Ganser² — ¹Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72, D-79108 Freiburg

Wir berichten über Zyklotronresonanzuntersuchungen an lichtinduzierten Elektronen in leicht n-dotierten GaAs-Epitaxieschichten, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf semiisolierten Substraten aufgewachsen wurden. Die Experimente wurden bei Gittertemperaturen durchgeführt, bei denen keine thermisch angeregten Elektronen im Leitungsband vorliegen. Elektronen im Leitungsband werden durch das Bestrahlen der Proben mit einer GaAs-Laserdiode induziert. In bestimmten Magnetfeldbereichen beobachten wir ein aufgespaltenes Zyklotronresonanzprofil, das auf den Einfluß der resonanten Polaronkopplung zurückgeführt werden kann. Eine vorlaüfige Analyse zeigt, daß neben der aus früheren Experimenten an thermisch angeregten Elektronen bekannten niederenergetischen Polaron-Mode des Landau-Übergangs N → N+1 auch die höherenergetische Polaron-Mode beobachtet wird. Detaillierte Untersuchungen der Resonanzaufspaltung in Abhängigkeit von der Gittertemperatur und der Magnetfeldstärke werden gegenwärtig durchgeführt.