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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.52: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Hochfrequente Stromoszillationen in GaAs/AlAs-Übergittern — •T. Blomeier, E. Schomburg, J. Grenzer, K. Hofbeck, S. Winnerl, I. Lingott, S. Brandl, A.A. Ignatov, K.F. Renk, D.G. Pavel’ev*, Yu. Koschurinov*, B. Melzer**, S. Ivanov**, S. Schaposchnikov** und P.S. Kop’ev** —
Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstraße 31, D-93053 Regensburg; * Department of Radiophysics, Nizhny Novgorod State University, Russia; ** Physico-Technical Institute (Ioffe Institute), St. Pete

Wir beobachteten hochfrequente Stromoszillationen bis zu 30 GHz in n dotierten Esaki-Tsu-Übergittern, die im Bereich des negativen differentiellen Leitwertes betrieben wurden. Es wurden Übergitterbauelemente mit verschiedenen Minibandbreiten (16 meV bis 46 meV) untersucht. In den Spektren wurden Oberschwingungen beobachtet, dies deutet auf einen anharmonischen Stromtransport hin. Die Fundamentalfrequenz eines Spektrums entsprach ungefähr dem Quotienten aus der maximalen Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger und der Übergitterlänge. Dies deutet daraufhin, daß die Stromoszillationen aufgrund eines intrinsischen Laufzeit-Effektes propagierender Hochfelddomänen zustandekommen. Wir zeigen, daß die Transit-Frequenz der durchlaufenden Hochfelddomänen und damit die Frequenz der Stromoszillationen mit zunehmender Minibandbreite größer wird.