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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.54: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Magnetfeld-induzierte Ladungsträgerlokalisierung in Halbleiterschichtstrukturen — •P. Denk¹, M. Hartung¹, A. Wixforth¹, K. Campman² und A.C. Gossard² — ¹Sektion Physik, Ludwig-Maximilians- Universität München, D-80539 München — ²Materials Dept. UC Santa Barbara, USA

Ein zur Schichtebene eines Elektronensystems in einer Halbleiter Quantentopfstruktur paralleles Magnetfeld führt zu einer zusätzlichen Lokalisierung der Ladungsträger. Wir untersuchen diese Magnetfeld-induzierte Lokalisierung an Doppel- und Vielfachquantentöpfen auf GaAs-Basis durch Kapazitäts-Spannungsmessungen, aus denen das räumliche Ladungsträgerdichteprofil bestimmt werden kann. Wir finden, daß die zusätzliche Lokalisierung Tunnelprozesse zwischen den Quantentöpfen effizient unterdrückt, so daß die elektronische Subbandstruktur stark modifiziert wird. Zusätzliche Magnetotransport- und ferninfrarotspektroskopische Messungen erlauben es uns, die Minibandstruktur in Übergittern sowie die energetische Aufspaltung zwischen symmetrischen und antisymmetrischen Eigenzuständen quantitativ zu ermitteln.