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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.55: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Biexzitonische Bindungsenergien beim Übergang vom 3D- zum 2D-Halbleiter — •J. Möbius, A. Euteneuer, R. Rettig, E. J. Mayer, M. Hofmann, W. Stolz und W. W. Rühle — AG Halbleiterphysik und Wiss. Zentrum f. Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg, D-35032 Marburg

Die Einschränkung der Dimensionalität modifiziert ganz wesentlich die optischen und elektronischen Eigenschaften eines Halbleiters. Dies gilt insbesondere für die Bindungsenergien von Exzitonen und Biexzitonen. Die Analyse von Quantenschwebungen in Vierwellenmischtransienten, eine Methode, die im Gegensatz zu linearen optischen Untersuchungen unbeeinträchtigt von inhomogenen Linienverbreiterungen ist, liefert die Biexzitonenbindungsenergien mit großer Genauigkeit. Wir bestimmen an symmetrisch verspannten (GaIn)As/Ga(PAs) Quantentöpfen die Bindungsenergien von Biexzitonen beim 3D zu 2D Übergang, den wir durch Variation der Tiefe der Töpfe realisieren: Zunehmende Quantentopftiefe bei gleichbleibender Breite reduziert das Eindringen der Elektron- und Lochwellenfunktionen in die Barriere. Das Verhältnis von Biexzitonen- zu Exzitonenbindungsenergie nimmt zu, wenn die Potentialtopftiefe im Leitungsband erhöht wird. Unsere experimentellen Ergebnisse werden mit verschiedenen theoretischen Ansätzen verglichen und die Unterschiede werden diskutiert.