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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.58: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Bestimmung der Valenzbandaufspaltung von geordnetem GaInP mittels polarisationsabhängiger Elektroabsorptionsmessungen — •T. Kippenberg¹, G. Schmiedel¹, P. Kiesel¹, U. Hilburger¹, E. Greger², K.H. Gulden², M. Moser² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin - Rommel - Str. 1, 91058 Erlangen — ²Paul Scherrer Institut, Badenerstr. 569, 8048 Zürich

Unter bestimmten Wachstumsbedingungen bildet sich bei der epitaktischen Abscheidung von GaInP ein natürliches Übergitter, das aus abwechselnd gallium- und indiumreicheren Ebenen aufgebaut ist. Der Ordnungsgrad η ist dabei stark von den verwendeten Wachstumsparametern abhängig. Die veränderte Symmetrie führt im Vergleich mit ungeordnetem GaInP zu einer Reduzierung der Bandlücke und einer Aufspaltung des Valenzbandes.

Mithilfe spektraler Transmissionsmessungen an MSM- (Metall-Semiconductor- Metall)- und doppel-hetero pin-Strukturen wurden die feldabhängigen Absorptionsänderungen für verschiedene Polarisationsrichtungen bestimmt. Die Auswertung dieser Messungen an Proben unterschiedlichen Ordnungsgrads η ermöglicht sowohl die Bestimmung der Bandlückenveringerung als auch der Valenzbandaufspaltung.