Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.60: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Nukleation und Wachstum von kubischem InxGa1−xN mittels RF-Plasma unterstützer MBE auf GaAs (001) — •J.R. Müllhäuser, O. Brandt, B. Jenichen, A. Trampert, M. Wassermeier und K.H. Ploog — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5–7, 10117 Berlin
Kubisches InxGa1−xN ist ein vielversprechendes Material für optische Bauelemente. Im Gegensatz zur hexagonalen Gleichgewichtsphase zeichnet es sich durch einen kleineren Bandabstand, höhere Kristallsymmetrie und leichte Spaltbarkeit auf kubischen Substraten aus. Bedingt durch die Metastabilität der kubischen Phase ist deren Herstellung innerhalb eines engen Fensters von Wachstumsparametern möglich. Diese hängen insbesondere von der Art der verwendeten Stickstoffquelle ab. Mittels AFM und XTEM untersuchen wir die Morphologie und Struktur optimierter, nur weniger Monolagen dicker, epitaktisch gewachsener Nukleationsschichten auf GaAs (001). Ausgehend von diesen läßt sich das Wachstum kubischen InxGa1−xN’s durch in situ RHEED überwachen. Die dabei erhaltenen Schichten mit Dicken im µm Bereich werden mit Röntgenbeugung hinsichtlich ihrer Phasenreinheit und ihres In-Gehaltes analysiert. Die Proben zeigen grün-blaue Photolumineszenz im gesamten Temperaturbereich von 5 K bis 500 K.