Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.61: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Vergleich von Raman-Messungen erster und zweiter Ordnung an AlN und GaN — •L. Filippidis¹, H. Siegle¹, G. Kaczmarczyk¹, A.P. Litvinchuk¹, C. Thomsen¹, K. Karch² und F. Bechstedt² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, 10623 Berlin — ²Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universität, 07743 Jena

Wir präsentieren Raman-Messungen an hexagonalem AlN und GaN. Mit Hilfe der Raman-Streuung erster Ordnung lassen sich die Raman-aktiven Schwingungsmoden am Γ-Punkt der Brillouinzone untersuchen, wobei unsere Messungen zeigen, daß in AlN und GaN polare Gitterschwingungen eine energetische Richtungsdispersion aufweisen. Raman-Streuprozesse zweiter Ordnung, bei denen zwei Phononen involviert sind, liefern ein Abbild der Phononenzustände der gesamten Brillouinzone, so daß unsere Messungen unter anderem als wichtiger Test für ab-initio berechnete Phononenzustandsdichten in AlN dienen. Mit gruppentheoretisch hergeleiteten Auswahlregeln, der Methode der critical point analysis und der für AlN ab-initio berechneten Phononendispersionskurven werden Aussagen über die am Streuprozeß beteiligten Phononenzustände gemacht. Die Ergebnisse für AlN werden mit Raman-Messungen an GaN verglichen.