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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.63: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Hochauflösende Tiefenprofilanalyse an GaN Schichten und deren Substraten — •A. Bergmaier¹, G. Dollinger¹, C. Frey¹, S. Karsch¹, O. Ambacher² und M. Stutzmann² — ¹Physik Department E12, TU München, 85747 Garching — ²Walter Schottky Institut, TU München, 85747 Garching

Elastic Recoil Detection (ERD) mit hochenergetischen schweren Ionen ist eine ausgezeichnete Methode der Materialanalyse, um quantitative Tiefenprofile von allen leichten bis mittelschweren Elementen in dünnen Schichten zu vermessen. Mit dem Einsatz des ERD–Equipments am Münchener Tandembeschleunigers ist es möglich kleinste Konzentrationen im ppm–Bereich mit einer Tiefenauflösung unter 1 nm zu analysieren.

In der vorliegenden Arbeit wird über Analysen an unterschiedlich gewachsenen (MOCVD und MBE) GaN Schichten berichtet, wobei ein Schwerpunkt auf der Bestimmung der Stöchiometrie der Schichten lag. Desweiteren werden Fremdelement-, bzw. Dotierstoffeinbau (H, C, O, Mg) in Abhängigkeit der Abscheidebedingungen diskutiert, sowie hochaufgelöste Untersuchungen der Interfaceregion zwischen GaN und dem Saphirsubstrat vorgestellt .