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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.66: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Der Einfluß von Wasserstoff auf das Wachstum von α-GaN auf c-Al₂O₃ — •Frank Freudenberg, Oliver Ambacher, Helmut Angerer und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Mittels PIMBE und MOCVD wurden dünne Filme von α-GaN auf Saphir hergestellt. Durch verschiedene H₂/N₂ Mischungsverhältnisse im rf-Plasma der PIMBE- Stickstoffquelle bzw. durch Zugabe von H₂ als Transportgas in der MOCVD wurde der Einfluß des Wasserstoffs auf die Morphologie und die kristalline Qualität der GaN-Schicht untersucht. Bei der PIMBE variiert die Depositionsrate von 0,6 µm/h ohne H₂ bis 0,1 µm/h je nach H₂-Anteil im Plasma. Über REM und AFM Untersuchungen wurde festgestellt, daß durch Zugabe von Wasserstoff die Koaleszenz der epitaktischen Inseln unterdrückt wird. Mittels Röntgenbeugung konnte gezeigt werden, daß die strukturelle Qualität der Inseln selbst nicht beeinträchtigt wird. Die Zugabe von H₂ führt beim MOCVD-Verfahren zu einer Reduzierung der Wachstumsrate in c-Richtung. Die Kristallitgrößse in lateraler Richtung steigt von 1 µm auf bis zu 6 µm an. Erst durch Verwendung einer Nukleationsschicht kann zweidimensionales Wachstum erzielt werden.