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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.67: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Bestimmung der Zusammensetzung von AlGaN-Mischkristallen über Röntgendiffraktion — •Robert Höpler¹, Oliver Ambacher², Helmut Angerer ², Eberhard Born¹, Günther Dollinger³ und Martin Stutzmann² — ¹Angew. Mineralogie u. Geochemie, TU München, D-85748 Garching — ²Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ³E 12, Physik Department, James Franck Straße, D-85748 Garching

Dünne epitaktische Schichten aus Al_xGa_1−xN mit x≤0,8 wurden mittels plasmainduzierter Molekularstrahlepitaxie (PI-MBE) auf c-plane (0001) Saphir abgeschieden. Ziel von XRD-Messungen war es, die Qualität der Schichten hinsichtlich Epitaxie und Kristallinität zu überprüfen und die chemische Zusammensetzung der Mischkristalle aus den gemessenen Gitterkonstanten c und a mit Hilfe der Vegard-Regel zu bestimmen. Biaxialer kompressiver Stress in den Schichten führt aber zu einer Verzerrung der Elementarzelle und damit zu Fehlern bei der Bestimmung von x. Die Gitterkonstanten wurden mit dem gemessenen c/a-Verhältnis korrigiert und die Zusammensetzung und die Gitterverzerrung berechnet. Die Konzentrationen von Ga und Al wurden durch ERDA (elastic recoil detection analysis) direkt bestimmt und sind in guter Übereinstimmung mit den Ergebnissen der Diffraktion.