Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.68: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Elektrolumineszenz von GaN p/n Dioden — •Robert Handschuh, Oliver Ambacher, Roman Dimitrov und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, D-85748 Garching
Die effiziente p-Dotierung von GaN ist eine grundlegende Voraussetzung für optoelektronische Bauelemente. Mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) gewachsene Mg- dotierte GaN-Schichten zeigten nach thermischer Aktivierung p-Leitung. Temperaturabhängige Hall- Messungen ergaben eine Aktivierungsenergie von 170 meV. Bei Raumtemperatur wurden Löcherkonzentrationen bis 1018 cm−3 und Hall-Beweglichkeiten bis 10 cm2/Vs gemessen. Mit Hilfe von GaN:Mg Schichten und n-Typ GaN wurden LEDs mit Emission im nahen Ultraviolett hergestellt. Das Maximum der Intensität wird bei 395 nm beobachtet. Vorgestellt und diskutiert werden die spektrale Verteilung der Elektrolumineszenz, externe Quanteneffizienz und das Degradationsverhalten.