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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.71: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Absorption von GaInN Single-Quantum Wells und AlGaN Mischkristallen — •D. Brunner¹, W. Rieger¹, O. Ambacher¹, M. Stutzmann¹, A. Sohmer², V. Haerle², F. Steuber² und F. Scholz² — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Mit Hilfe der Photothermischen Deflektions-Spektroskopie (PDS) und Transmissionsmessungen im ultravioletten und sichtbaren Spektralbereich wurden epitaktische GaN/GaInN/GaN Single-Quantum Well Strukturen (SQW) und epitaktische AlGaN Mischkristalle untersucht. Die GaInN Proben wurden durch MOCVD und die AlGaN Schichten durch MBE hergestellt. Die Schichtdicke der GaInN Zwischenschicht der SQW Strukturen wurde zwischen nominell 1 nm und 77 nm variiert. Aus den Messungen wurde der Absorptionskoeffizient der GaInN Zwischenschicht berechnet und bei GaInN Dicken von weniger als 3 nm ein Öffnen der Bandlücke von 3.11 eV auf 3.19 eV beobachtet. Für die Al_xGa_1−xN Mischkristalle wurde für 0 ≤ x ≤ 1 der Absorptionskoeffizient im Energiebereich zwischen 0.8 eV und 6.2 eV sowie die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke bestimmt.