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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.72: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Plasma Induced Molecular Beam Epitaxy von α-GaN und Al_xGa_1−xN-Filmen sowie deren Dotierung — •H. Angerer, O. Ambacher, R. Dimitrov und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Mittels Plasma-Induced Molecular Beam Epitaxy (PIMBE) wurden GaN und Al_xGa_1−xN Mischkristalle mit Al-Gehalten bis x = 0,85 hergestellt. Die p-Dotierung mit Magnesium konnte fr GaN bis zu einer Löcherkonzentration von p_h = 2×10¹⁸ cm⁻³ bei Raumtemperatur realisiert werden. Im Gegensatz zur chemischen Gasphasenabscheidung aus metallorganischen Verbindungen (MOCVD) war keine thermische Aktivierung des p-Dotanden nötig. Mit Si n-dotiertes GaN zeigte selbst bei Ladungsträgerkonzentrationen von 2×10¹⁹ cm⁻³ noch Hall-Beweglichkeiten von 115 cm²/Vs. Mittels Röntgendiffraktion (XRD) konnte gezeigt werden, daß auch hohe Dotierkonzentrationen [Mg] bzw. [Si] = 10²⁰ cm⁻³ nicht der limitierende Faktor für die strukturelle Qualität sind. Dünne Filme aus Al_xGa_1−xN wurden hinsichtlich ihrer Eignung als cladding layer in einer Single Quantum Well Leuchtdiode (SQW-LED) u.a. mittels XRD, Photolumineszenz- und Hall-Messungen untersucht.