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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.73: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Charakterisierung von Al_xGa_1−xN (x=0…1) Schichten mittels Reflectance Difference Spectroscopy (RDS) — •U. Rossow^1,2, N.V. Edwards¹, L. Mantese¹ und D.E. Aspnes¹ — ¹North Carolina State University, Phys. Dept., Raleigh, NC 27695-8202 — ²TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin,Email: urossow@aol.com

Wir berichten über optische Untersuchungen an GaN, Al_xGa_1−xN und AlN Schichten auf Saphir und 6H-SiC mittels Reflectance Difference (-Anisotropy) Spectroscopy (RDS/RAS), die unter (nahezu) normaler Inzidenz angewendet wird und die optische Anisotropie in zwei senkrecht zueinander und der Oberflächenormale stehenden Richtungen mißt. Alle Spektren zeigen eine Struktur nahe der direkten Bandlücke und Schichtdickeninterferenzen im transparenten Bereich. Die Mechanismen, die zu einer optischen Anisotropie unterhalb der Bandlücke führen können, sind ein experimentell unvermeidlicher endlicher Einfallswinkel, eine Verkippung der c-Achse relativ zur Oberflächennormale oder eine anisotrope Relaxation der Verpannung in den Schichten. Diese Beiträge können durch ihre verschiedenes Verhalten bei einer Drehung der Proben um die Oberflächennormale separiert werden. Die spektrale Lage der Struktur an der Bandlücke erlaubt es die chemische Zusammensetzung der ternären Verbindung zu bestimmen. Die erhaltenen Werte sind in guter Übereinstimmung mit Ergebnissen, die mit Kathodolumineszenz erhalten wurden.