Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.74: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

LP-MOVPE von GaN und GaN/GaInN auf SiC — •J. Off, H. Bolay, A. Sohmer, V. Syganow, A. Dörnen und F. Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Die Epitaxie von GaN und GaN/GaInN-Strukturen für die Verwendung als lichtemittierende Bauteile hat in den letzten Jahren bedeutende Fortschritte erziehlt. Zur elektrischen Kontaktierung von Diodenstrukturen auf nicht dotierbarem Saphir-Substraten wird jedoch ein aufwendiges Ätzverfahren benötigt. Die Verwendung von (n-)dotiertem 6H-SiC-Substraten macht dies hingegen überflüssig.
Zur Optimierung der Herstellung von GaN-Schichten auf SiC wurden Nukleationsschichten aus AlN und GaN abgeschieden. Dabei wurden an undotierten Schichten Halbwertsbreiten in Röntgendiffraktometrie von weniger als 3 arcmin erreicht. Photolumineszenzmessungen an diesen Strukturen zeigen Linienbreiten von kleiner 6 meV. Vergleiche mit dem Abscheidung auf Saphir lassen vermuten, daß die Herstellung von Schichtstrukturen mit hoher Materialqualität weniger deutlich von den Einstellung der Wachstumsparametern der Nukleationsschicht abhängig ist.