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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.75: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Nichtlinear optische Spektroskopie von β-GaN/GaAs Hetero-strukturen — •O. Busch¹, G. Lüpke¹, C. Meyer¹, H. Kurz¹, O. Brandt² und K. Ploog² — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl II, RWTH Aachen — ²Paul–Drude–Institut für Festkörperelektronik

GaN ist ein vielversprechendes Halbleitermaterial für optoelektronische Bauelemente im blauen und ultravioletten Spektralbereich. GaN–Epitaxieschichten können in zwei Phasen, der hexagonalen (α) und der kubischen (β), mit einem Bandabstand von 3.43 bzw. 3.25 eV gewachsen werden. Der Übergang zwischen stark gitterfehlangepaßten Substraten und den verschiedenen GaN Polytypen ist noch nicht eingehend verstanden. Grenzflächenspezifische nichtlinear–optische (NLO) Verfahren, wie die optische Frequenzverdopplung, ermöglichen die Untersuchung elektronischer Übergänge an den vergrabenen Grenzflächen dieser Heterostrukturen. NLO Spektren von β-GaN/GaAs(001)–Heterostrukturen zeigen im Photonenergiebereich von 3.0 – 3.5 eV drei Resonanzen: bei 3.10, 3.25 und 3.43 eV. Letztere zeigt in der grenzflächenspezifischen NLO Komponente eine starke Linienverbreiterung und einen sehr hohen Anteil aus dem Volumen der GaN–Epitaxie–schicht im Vergleich zur NLO Antwort. Dies deutet auf verspannte α–GaN Nanokristallite an der Grenzfläche hin.