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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.76: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Biexziton und Elektron-Loch-Plasma im GaN — •J. Holst¹, L. Eckey¹, A. Hoffmann¹, I. Broser¹, K. Hiramatsu², H. Amano³ und I. Akasaki³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-3 TU Berlin, 10623 Berlin — ²Nagoya University, Nagoya, Japan — ³Meijo University, Nagoya, Japan

Wir präsentieren eine systematische Untersuchung der Hochanregungslumineszenzen des epitaktischen GaN. Der Zerfall von Biexzitonen ruft bei tiefen Temperaturen eine charakteristische Lumineszenzbande hervor. Die Linienformanalyse dieser Emission lässt auf eine Bindungsenergie des Biexzitons von 3.7 meV schließen. Bei Anregungsdichten im Bereich von 10MW/cm⁻² kann auf der niederenergetischen Flanke der Biexzitonenlumineszenz eine weitere Bande beobachtet werden, die wir der Rekombination des Elektron-Loch-Plasmas zuordnen. Temperatur- und intensitätsabhänige Gainmessungen geben Aufschluß über den Beitrag dieser Hochanregungsmechanismen zur bandkantennahen optischen Verstärkung des GaN.