Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.77: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Gitterplatzbestimmung von ionenimplantiertem Li in GaN — •M. Dalmer¹, M. Restle¹, C. Ronning¹, H. Hofsäss¹, M.D. Bremser², R.F. Davis² und U. Wahl³ — ¹Universität Konstanz, Postfach 5560, D-78434 Konstanz — ²North Carolina State University, Dept. of Material Science, Raleigh, USA — ³Universität Leuven, Belgien

Die Besetzung von Gitterplätzen implantierter Li-Ionen und ihre Wechselwirkung mit Defekten wurde in GaN mit der Emissions-Channeling Methode untersucht. Hierzu wurde ⁸Li (Halbwertszeit = 843 ms) mit 60 keV in einkristallines GaN implantiert und on-line zweidimensionale alpha-Emissionsspektren im Temperaturbereich von RT bis 800 K aufgenommen. Aus den beobachteten Channeling- und Blockingeffekten konnte qualitativ der Gitterplatz des implantierten Li bestimmt werden. Im Temperaturbereich von RT bis 600 K befindet sich das Li auf einem Zwischengitterplatz entlang der c-Achse, während für Temperaturen oberhalb von 700 K substitutionelles Li beobachtet wurde.