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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.78: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Raman-Untersuchung epitaktischer MBE Al_xGa_1−xN-Schichten — •A. Cros^1,2, H. Angerer¹, O. Ambacher¹ und M. Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²On leave from Dep. Física

Durch MBE wurden auf Saphir epitaktisch gewachsene Al_xGa_1−xN-Schichten, mit x von 0 bis 1 hergestellt. Mit Hilfe von Raman-Streuung wurde die Abhängigkeit der Energie der optischen Phononen vom Aluminumgehalt untersucht. Es wird gezeigt, daß die Verschiebung der A₁(TO) und A₁(LO) Phononenmode mit zunehmendem x nach höheren Energien linear ist. Die E₂ Phononenmode zeigt jedoch einen interessanteres Verhalten: ihre Energie nimmt von GaN mit zunehmenden x langsam zu. Zwischen x=0.2 und x=0.4 geht diese Linie unter der A₁(TO) Phononenmode verloren. Es zeigt sich aber eine neue Phononenlinie, 50 cm⁻¹ zu höheren Energien verschoben, die mit zunehmenden x langsam in die E₂ Mode des AlN übergeht. Die Breite der Phononenlinien nimmt anfänglich mit x zu, hat ein Maximum für x=0.7 und nimmt dann wieder ab. Dieses Verhalten wird vermutlich durch eine nicht homogene Verteilung der Al un Ga Atome verursacht. Die Ergebnisse werden im Rahmen des Ein- oder Zwei-Moden Kriteriums für Mischkristalle diskutiert.