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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.80: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Untersuchungen zum In-Einbauverhalten beim MOVPE-Wachstum von GaInN — •A. Sohmer¹, H. Bolay¹, V. Syganow¹, J. Off¹, F. Steuber¹, V. H"arle¹, A. D"ornen¹, H. Lakner², and F. Scholz¹ — ¹4. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart — ²Fachbereich 9, Elektrotechnik, Gerhard Mercator Universit"at Duisburg, 47048 Duisburg

Durch Variation des In-Gehalts in GaN/GaInN Doppelhetero- oder Multiquantenfilmstrukturen lassen sich prinzipiell LEDs und Laserdioden mit Emissionswellenl"angen vom UV- bis hin zum roten Spektralbereich realisieren. Ein Problem hierbei ist jedoch die mit zunehmendem In-Gehalt auftretende Verschlechterung der optischen Eigenschaften und die Tendenz zur In-Segregation bei der LP-MOVPE von GaInN.

Dieser Beitrag besch"aftigt sich zun"achst mit dem Einflu"s verschiedener Epitaxieparameter wie Tr"agergaszusammensetzung, Wachstumsrate, V/III- und TMIn/TEGa-Verh"altnis, sowie Temperatur und Druck im Reaktor auf den In-Gehalt und die Schichtqualit"at von GaN/GaInN Heterostrukturen und Quantenfilmen.

Bei GaN/GaInN Quantenfilmen werden bei Photolumineszenzmessungen abh"angig von der Quantenfilmdicke unterschiedliche Arten optischer "Uberg"ange beobachtet. Dickere Schichten zeigen zwei GaInN korrelierte PL-peaks. Ein m"oglicher Zusammenhang dieser Beobachtungen mit den strukturellen Eigenschaften (Versetzungen, In-Einbauverhalten) der Quantenfilme wird diskutiert.