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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.84: Poster

Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z

Temperaturabängigkeit der optischen Eigenschaften von Nitridverbindungen — •G.C. Rohr — Institut für Technische Physik, DLR Stuttgart, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart

Die optischen Eigenschaften der III-V Nitridverbindungen GaN, InN und GaInN werden ausgehend von deren selbstkonsistenten Bandstrukturen berechnet. Normerhaltende ab-initio Pseudopotentiale und eine ebene Wellenentwicklung werden zur Bestimmung der Grundzustandseigenschaften im Rahmen der LDA angewendet. Explizites Einbeziehen der 3d- (4d-) Elektronen des Ga (In) in die Valenzzustände in Verbindung mit Selbstenergiekorrekturen der LDA - Energiebänder resultiert in einer stark verbesserten Übereinstimmung der Bandgaps in GaN und InN mit experimentellen Daten.
Der Einfluß endlicher Temperaturwerte auf die Energiebänder wird in zweiter Ordnung der Phononenauslenkung diskutiert und die frequenz- und temperaturabhängige Dielektrische Funktion є (ω, T) zur Bestimmung der optischen Größen und zum Vergleich mit Ellipsometriemessungen zwischen 0 und 15 eV ermittelt.